佳能新专利改善全像素双核传感器高、低感光度画质

佳能新全像素双核CMOS AF传感器技术专利现已公布，日本公开专利号No.2013-228692。新专利在单位像素内设置了2个灵敏度各异的独立光电二极管，其目的在于提高传感器动态范围，进而提升高、低感光度画质表现。

No.2013-228692号专利详情：

• 公开日期：2013年11月7日
• 申请日期：2012年3月29日
• 发明人：池本 圣雄

要实现传感器相位差对焦功能，常见做法是在CMOS内设置独立检测像素，成像时再进行屏蔽，缺点在于会劣化低感光度画质表现。为此，佳能研制了全像素双核CMOS AF传感器技术（Dual Pixel CMOS AF），并率先应用于EOS 70D。其技术原理是在1个像素内放入2个光电二极管，对焦时相当于2个像素模拟相位差对焦，成像时再合并为1个像素输出成像信号。

佳能全像素双核CMOS AF传感器显微结构

通过该技术可让相机在不损伤画质前提下实现高速、高精度传感器相位差对焦功能。从媒体、普通用户的反映来看，70D实时取景模式下的对焦性能已具备很高实用性，尤其是在与STM马达镜头搭配时，跟踪对焦表现更是快、准、静，受到不少视频用户的欢迎。

根据现已公布的资料，佳能新专利在1个像素内设置了2个灵敏度各异的独立光电二极管（上图209、210、211、212），既实现相位差对焦，又可根据实际拍摄条件自动适配。

例如，在弱光、高反差环境下，高敏感度二极管起主要作用，低敏感度二极管可提供丰富的亮部细节，画面纯净度高；在光线充足环境下，低敏感度二极管起主要作用，高敏感度二极管则可用于记录暗部细节。